乔大海个人网站 https://qiaodahai.com/
SSD所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的，那么对于同步闪存与异步闪存的区分。首先目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，他们各有各的接口，产品之间的规格也不相同， 主流的SandForce SF-2000系列主控和Marvell 88SS9174主控都提供了对ONFI和ToggleDDR标准闪存的支持，下面就来介绍一下这两个标准。
划分NAND等级的还有一个因素，那就是Synch同步还是Asynch异步，这两种的区别又在哪里呢，这还要谈到ONFI与Toggle标准之分。
ONFI（Open NAND Flash Interface）标准是由英特尔、镁光、海力士、台湾群联电子、SanDisk、索尼、飞索半导体为首宣布统一制定的连接NAND闪存和控制芯片的接口标准，与之对应的是东芝、三星阵营的Toggle NAND标准。
我们经常说闪存的同步与异步模式，其实是在ONFI 2.0标准中新加入的特性（ToggleDDR不存在同步闪存的情况，均为异步设计，但性能仍然强悍），ONFI 2.0标准在NAND中加入了同步时钟发生器，主控可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号，使闪存工作在同步模式 ，此时闪存的数据传输速率会大幅度提升，异步模式相当于ONFI 1.0，闪存的带宽为50MB/s，而同步模式下闪存至少也符合ONFI 2.0，闪存带宽可达到133MB/s以上。3.0规范下，闪存带宽可达到400MB/s以上。
实际上同步与异步闪存都是同一生产线上下来的，颗粒品质的优劣才产生了这样的区别。所谓异步颗粒，我们可以判断它是在原厂检测中，无法通过所有最严格的测试，而在降低性能后（只允许使用异步，而不使用同步模式），其它质量测试都可通过的颗粒，所以原厂仍把它们作为合格的产品（标记为仅可跑异步模式）出售。有一点要注意的是的，Intel在2011年之后生产的闪存芯片都可以跑同步模式，未对性能做限制，虽然镁光也使用同样的闪存颗粒，但是会按照料号区分同步与异步。
开机时SSD是运行在异步模式的，只有当主控发送同步指令给闪存后，才激活闪存上的源同步时钟，然后针脚定义发生改变，激活DQS信号， 让其工作在同步模式，并将异步模式下的WE#信号变为CLK信号，RE#变为W/R信号，同步模式下DQS信号的上升沿与下级沿都能控制信号的传输，使传输速度翻倍。
NAND，包括前面的NOR闪存本质上都是Floating Gate MOSFET（浮栅极-金属氧化物半导体场效应管），也是利用通电与否代表计算机可识别的1、0状态。
加电瞬间会产生强大的电场（大于1000万 vt/cm），这么强的电场会破坏隧道氧化层的原子结合，脱离的电子就会上升到浮栅极上以形成电位变化，断电之后电子还会恢复正常位置，这样反复的断电-加压就形成了不同的电位信号。
加电的过程等同于HDD硬盘的数据写入操作，它被成为“Program（编程）”，断电的过程电位恢复，这相当于HDD硬盘的擦除数据，这里成为“Erase（擦除）”，SSD评测完整的一次P/E循环就是NAND的写入循环，从这里也可以看出SSD要想写入数据就需要恢复默认电位，也就是以“擦除”为前提，这个特性决定了SSD的数据写入方式，也会带来其他的一系列问题。
最直接的影响就是SSD寿命，因为P/E循环次数是有限的，浮栅极不像HDD的GMR（巨磁阻尼）效应那样是永久的，存在次数限制。
目前主流25nm工艺下，P/E循环次数在3000-5000次之间，测试的14款SSD评测中有9款SSD的标称写入次数都是3000次，只有Intel自家520、330、浦科特M3P以及OCZ Vertex 3 Max IOPS是5000次，最强的是超极速SSD，标称10万次写入寿命，因为它是SLC。