喬大海個人網站 https://qiaodahai.com/
SSD所用的固件與閃存種類都是對其性能有相當大影響的，那麼對於同步閃存與異步閃存的區分。首先目前閃存製造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，他們各有各的接口，產品之間的規格也不相同， 主流的SandForce SF-2000系列主控和Marvell 88SS9174主控都提供了對ONFI和ToggleDDR標準閃存的支持，下面就來介紹一下這兩個標準。
劃分NAND等級的還有一個因素，那就是Synch同步還是Asynch異步，這兩種的區別又在哪裡呢，這還要談到ONFI與Toggle標準之分。
ONFI（Open NAND Flash Interface）標準是由英特爾、鎂光、海力士、台灣群聯電子、SanDisk、索尼、飛索半導體為首宣布統一制定的連接NAND閃存和控制芯片的接口標準，與之對應的是東芝、三星陣營的Toggle NAND標準。
我們經常說閃存的同步與異步模式，其實是在ONFI 2.0標準中新加入的特性（ToggleDDR不存在同步閃存的情況，均為異步設計，但性能仍然強悍），ONFI 2.0標準在NAND中加入了同步時鐘發生器，主控可以通過發送同步指令激活閃存上的同步時鐘信號，使閃存工作在同步模式 ，此時閃存的數據傳輸速率會大幅度提升，異步模式相當於ONFI 1.0，閃存的帶寬為50MB/s，而同步模式下閃存至少也符合ONFI 2.0，閃存帶寬可達到133MB/s以上。3.0規範下，閃存帶寬可達到400MB/s以上。
實際上同步與異步閃存都是同一生產線上下來的，顆粒品質的優劣才產生了這樣的區別。所謂異步顆粒，我們可以判斷它是在原廠檢測中，無法通過所有最嚴格的測試，而在降低性能後（只允許使用異步，而不使用同步模式），其它質量測試都可通過的顆粒，所以原廠仍把它們作為合格的產品（標記為僅可跑異步模式）出售。有一點要注意的是的，Intel在2011年之後生產的閃存芯片都可以跑同步模式，未對性能做限制，雖然鎂光也使用同樣的閃存顆粒，但是會按照料號區分同步與異步。
開機時SSD是運行在異步模式的，只有當主控發送同步指令給閃存後，才激活閃存上的源同步時鐘，然後針腳定義發生改變，激活DQS信號， 讓其工作在同步模式，並將異步模式下的WE#信號變為CLK信號，RE#變為W/R信號，同步模式下DQS信號的上升沿與下級沿都能控制信號的傳輸，使傳輸速度翻倍。
NAND，包括前面的NOR閃存本質上都是Floating Gate MOSFET（浮柵極-金屬氧化物半導體場效應管），也是利用通電與否代表計算機可識別的1、0狀態。
加電瞬間會產生強大的電場（大於1000萬 vt/cm），這麼強的電場會破壞隧道氧化層的原子結合，脫離的電子就會上升到浮柵極上以形成電位變化，斷電之後電子還會恢復正常位置，這樣反覆的斷電-加壓就形成了不同的電位信號。
加電的過程等同於HDD硬盤的數據寫入操作，它被成為“Program（編程）”，斷電的過程電位恢復，這相當於HDD硬盤的擦除數據，這裡成為“Erase（擦除）”，SSD評測完整的一次P/E循環就是NAND的寫入循環，從這裡也可以看出SSD要想寫入數據就需要恢復默認電位，也就是以“擦除”為前提，這個特性決定了SSD的數據寫入方式，也會帶來其他的一系列問題。
最直接的影響就是SSD壽命，因為P/E循環次數是有限的，浮柵極不像HDD的GMR（巨磁阻尼）效應那樣是永久的，存在次數限制。
目前主流25nm工藝下，P/E循環次數在3000-5000次之間，測試的14款SSD評測中有9款SSD的標稱寫入次數都是3000次，只有Intel自家520、330、浦科特M3P以及OCZ Vertex 3 Max IOPS是5000次，最強的是超極速SSD，標稱10萬次寫入壽命，因為它是SLC。